BTA316可控硅参数：

VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 600/800 V

IT(RMS) 通态均方根电流 16 A

ITSM 通态不重复浪涌电流 140

I2t I2t 值 98 A2s

dIT/dt 通态电流临界上升率 50 A/μs

IGM 门极峰值电流 2 A

PGM 门极峰值功率 5 W

PG(AV) 门极平均功率

0.5

TSTG 存储温度 -40~+150 ℃

。